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小信號(hào)

小信號(hào)開關(guān)二極管
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汽車電子小信號(hào)
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NP MOSFET(12V-300V)
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SiC

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汽車SiC MOSFET

IGBT

IGBT模塊
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模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
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壓接整流模塊
壓接晶閘管模塊
壓接晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

用于伺服控制器、變頻器、工業(yè)電源的微溝槽IGBT

用于伺服控制器、變頻器、工業(yè)電源的微溝槽IGBT 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 TO-247 封裝 50A 650V IGBT單管,產(chǎn)品采用1.6um微溝槽工藝平臺(tái)，大大提高功率密度，具有較低的導(dǎo)通損耗及開關(guān)損耗，可適用于伺服控制器、變頻器、工業(yè)電源等中低頻應(yīng)用領(lǐng)域。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1. 采用1.6um微溝槽工藝平臺(tái)；
2. 電壓等級(jí)為650V，電流等級(jí)為50A@Tc=100℃ ；
3. 低導(dǎo)通損耗，低開關(guān)損耗；
4. 較強(qiáng)的短路能力

規(guī)格書

DGW50N65CTL2A

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